Diod simpang PN terbentuk hasil daripada percantuman bahan N dan bahan P. Stuktur binaan,bentuk fizikal dan simbol diod adalah seperti ditunjukkan dalam rajah berikut..
Semasa proses pembentukkan diod,terdapat sejumlah kecil elektron daripada bahan N akan merentasi simpang dan mengisi lubang yang terdapat pada bahan P. Akibatnya terbentuklah lapisan penebat yang dinamai lapisan susutan pada simpang tersebut seperti ditunjukkan dalam gambarrajah berikut...
Diod berkeadaan pincang ke depan apabila anodnya di sambung ke punca positif bekalandan katod disambung ke puca negatif.
Voltanpincang ke depan yang diperlukan ialah voltan sawar yang bernilai 0.7V untuk diod jenis germanium.dalam keadaan ini lapisan susutan hilang ciri penebatan,arus mengalir melaluinya...
Apabila anod diod di sambung ke punca negatif dan katod disambung ke puca positif,ia dipincang songsang....
dalam keadaan ini rintangan lapisan susutan meningkat dan menyebabkan arus tidak boleh mengalir melaluinya....
Jika nilai voltan pincang songsang yang dibekalkan sangat tiggi..Arus akan mengalir dalam litar tersebut.
Nilai voltan yang membolehkan arus mengalir dalam diod dalam keadaan pincang songsang dinamai voltan pecah tebat....
hubungan antara voltan pincang dan arus yang mengalir dalam litar ditunjukan dalam lengkung ciri I-V idod seperti yang ditunjukan dalam rajah 6.5
No comments:
Post a Comment