diod simpang PN(DIOD)

• Diod simpang PN terbentuk hasil daripada percantuman bahan N dan bahan P. Stuktur binaan,bentuk fizikal dan simbol diod adalah seperti ditunjukkan dalam rajah berikut.. 

                                                                  

• Semasa proses pembentukkan diod,terdapat sejumlah kecil elektron daripada bahan N akan merentasi simpang dan mengisi lubang yang terdapat pada bahan P. Akibatnya terbentuklah lapisan penebat yang dinamai lapisan susutan pada simpang tersebut seperti ditunjukkan dalam gambarrajah berikut...
• Diod berkeadaan pincang ke depan apabila anodnya di sambung ke punca positif bekalandan katod disambung ke puca negatif.
• Voltanpincang ke depan yang diperlukan ialah voltan sawar yang bernilai 0.7V untuk diod jenis germanium.dalam keadaan ini lapisan susutan hilang ciri penebatan,arus mengalir melaluinya...
• Apabila anod diod di sambung ke punca negatif dan katod disambung ke puca positif,ia dipincang songsang....
• dalam keadaan ini rintangan lapisan susutan meningkat dan menyebabkan arus tidak boleh mengalir melaluinya....
• Jika nilai voltan pincang songsang yang dibekalkan sangat tiggi..Arus akan mengalir dalam litar tersebut.
• Nilai voltan yang membolehkan arus mengalir dalam diod dalam keadaan pincang songsang dinamai voltan pecah tebat....
• hubungan antara voltan pincang dan arus yang mengalir dalam litar ditunjukan dalam lengkung ciri I-V idod seperti yang ditunjukan dalam rajah 6.5